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PIP-MOS管

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MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)500v 5A 1.5Ω管 產(chǎn)品型號(hào):PSxOSNSO

  • MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)500v 5A 1.5Ω管
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:PIP高壓場(chǎng)效應(yīng)管,額定電壓500v;額定電流5A;阻值范圍1.3Ω~1.5Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量14nc;Ciss寄生電容525pF。
重點(diǎn)參數(shù):
額定電壓(DC)
500V
寄生電容 525pF
額定電流 5A 電阻范圍 1.3Ω~1.5Ω
產(chǎn)品應(yīng)用:

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
額定電壓 500V
額定電流
5A
阻值范圍
1.3Ω~1.5Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
14nc
寄生電容(Ciss
525pF
其它型號(hào)
PTx07NSO
500V_7A_(1~1.2)Ω_14nc_800pF
PSx5090
500V_9A_(0.7~0.9)Ω_24nc_960pF
PTx09NSO
500V_9A_(0.55~0.75)Ω_28nc_1253pF
PTxl2N508
500V_12A_(0.44~0.52)Ω_30nc_1600pF
PTx13NSOB
500V_12A_(0.4~0.5)Ω_32nc_1180pF
PSxl3NSO
500V_13A_(0.4~0.48)Ω_45nc_2150pF
PTxlSNSO
500V_15A_(0.33~0.45)Ω_45nc_2150pF
PTxlSNSOB
500V_15A_(0.38~0.47)Ω_35nc_2200pF
PTxl7NSO
500V_17A_(0.28~0.38)Ω_45nc_2500pF
PTxl8N50
500V_17A_(0.27~0.35)Ω_65nc_2670pF
PTx20NSOA
500V_20A_(0.24~0.3)Ω_65nc_2670pF
PTx28NSO
500V_28A_(0.17~0.21)Ω_78nc_4280pF
PTx30NSOEL
500V_30A_(0.15~0.2)Ω_108nc_4150pF
PTW40NSO
500V_46A_(0.085~0.1)Ω_150nc_6888pF
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注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS額定電壓;

2、9A為MOS額定電流;

3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值范圍;

4、16nc為MOS柵極電荷Qg;

5、670pF為Ciss寄生電容;


封裝類(lèi)型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類(lèi)多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)等;


相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻,作為開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)MOS,以上都能能夠滿(mǎn)足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開(kāi)關(guān)完全打開(kāi),Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)500v 5A 1.5Ω管

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